产品介绍
ZH619A0
封装：SOP8
ZH619A0是用于功率MOSFET和IGBT的高压、高速半桥栅极驱动器。浮动沟道可用于驱动高边配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600V。ZH619A0具有高边和低边输入，以及两个带有内部死区时间的输出通道，以避免交叉传导。高低边的输出由输入独立控制，高压侧和低压侧均设置了欠压保护功能。
特点和优势
输出电流能力IO+0.3A/-0.5A
逻辑输入电平兼容3.3V/5V/15V
内置欠压保护功能
驱动高边和低边N沟道功率MOSFET
内置死区控制电路(典型100ns)
高端悬浮自举电源设计，耐压可达625V
高边输出与高边输入同相
低边输出与低边输入同相
应用电路
文档和资源
